内容简介
本书是一部半导体器件可靠性物理专著，重点讨论了微电子器件失效机理与温度的关系、微电子封装失效机理与温度的关系、双极型晶体管和MOS型场效应晶体管电参数与温度的关系、集成电路老化失效物理，提出了微电子器件温度冗余设计和应用准则、电子器件封装的温度冗余设计和使用指南，归纳总结了稳态温度、温度循环、温度梯度及时间相关的温度变化对器件可靠性的影响。
本书内容对电子产品设计师、质量师和可靠性工作者具有启发和指导作用，对半导体器件设计和制造工程师、电子产品设计师和器件失效分析工作者从中也将得到裨益，对提高国产半导体器件的质量和可靠性将产生积极作用。本书也可以作为微电子器件和电子产品可靠性专业本科生和研究生的参考教材。