内容简介

本书共分六章。第1章绪论，从真空微电子学发展的历程和面临的挑战以及碳纳米管场发射显示器研究现状和存在的主要问题，提出了本书的研究内容和研究思路。第2章碳纳米管及其场发射阴极的制备方法，本章的立足点在于介绍基于碳纳米管的场发射阴极的制备方法，而不是一般意义上的碳纳米管的制备方法。第3章移植法制备场发射阴极薄膜工艺，重点介绍了碳纳米管场发射阴极的丝网印刷制备工艺及所制备的阴极的场发射特性，并提出了一种用于处理印刷碳纳米管场发射阴极场的后处理方法，该方法可使基于丝网印刷工艺制备的碳纳米管场发射阴极的发射特性和发光均匀性得到显著改善。第4章印刷碳纳米管薄膜场发射过程中的电子输运，介绍了金属自由电子模型、金属的表面势垒及逸出功、场发射现象及其基本规律，并用量子力学方法对印刷碳纳米管薄膜表面的电子透射率进行模拟，获得了印刷碳纳米管薄膜中的电子输运的基本情况。第5章碳纳米管场发射显示器的制造工艺，介绍采用完全丝网印刷技术制造碳纳米管场发射显示器，并对制造工艺进行了详细介绍。第6章全印刷碳纳米管场发射显示器可靠性技术，研究了影响碳纳米管场发射显示器稳定性的因素，通过对银浆印刷层和CNT印刷层进行共烧结处理，改善了CNT与衬底的接触，结合排气时的除气处理，使器件的发光稳定得到大幅度提高。此外对器件的失效机理进行了研究，通过适当的老练使真空击穿得到有效预防。