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改性氧化硅基发光材料及其发光机理研究

作者:徐光青 著

出版社:合肥工业大学出版社

出版日期:2008年12月
个人简介
徐光青,男(1979-),博士,主要从事纳米材料的制备及光学性能的研究工作。主持教育部博士点专项基金(新教师基金)一项,先后参加国家自然科学基金“一种新型化学沉积纳米结构复合涂层制备与物性研究”、教育部博士点专项基金“化学沉积镍基合金/纳米颗粒复合材料涂层组织结构物性”等的研究工作。已有13篇有关改性纳米SiO2、Zn2SiO4光致发光性能的文章在“Journal of Lumlilescence”、“光学学报”、“硅酸盐学报”等学术期刊上发表。
内容简介
本文首先采用溶胶-凝胶法制备了未掺杂的纳米SiO2,对不同温度、气氛下热处理后材料的光致发光性能进行了研究。实验结果表明,较低热处理温度下未掺杂纳米SiO2中主要存在发光峰值位于344nm紫外发光,而经高温下H2气氛中热处理的纳米SiO2在385nm和400nm处存在强烈发光,并在长波方向存在一系列发光峰。在稳定溶胶一凝胶法制备纳米SiO2的基础上,通过化学掺杂手段制备Cu2+和ce3+离子掺杂的纳米SiO2,分析了掺杂纳米SiO2的光吸收和光致发光性能。不同的Cu2+和Ce3+离子掺杂浓度可显著改变344nm紫外发光峰的强度,较低的掺杂浓度可增强发光,较高的掺杂浓度则降低发光强度甚至产生发光淬灭。除了344nm发光外,Ce3+离子掺杂纳米SiO2中还存在低温热处理条件下的355nm发光带和高温热处理条件下的450nm宽带发光,这两个发光带皆起源于处于不同微结构中的Ce3+离子的5d-4f电子跃迁。
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